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SZY8T3301F单键触摸芯片

规格参数

产品名称: SZY8T3301F单键触摸芯片
产品型号: SZY8T3301-F

产品特性

电容式单按键触摸芯片,电压:2.4V~5.5V,内置LDO,配置多种模式(锁存/触发/开漏),工作模式功耗20uA,低功耗模式5uA

产品详情

一、芯片概述

SZY8T3301F是一款电容式单按键触摸检测及接近感应控制芯片。采用CMOS工艺制造,内建稳压和去抖动电路,高可靠性,专为取代传统按键开关而设计。超低功耗与宽工作电压特性,广泛应用于TWS及DC应用上,实现产品智能化。

 

二、芯片特点 

  • 工作电压:4V~5.5V
  • 工作电流:低功耗模式下典型值仅5uA,快速模式下3.5uA(@VDD=3.0V且无负载)
  • 在电源稳定后5s内完成上电初始化,此期间所有功能都被禁止
  • 快速模式下响应时间约45ms,低功耗模式下最大响应时间约160ms(@VDD=3.0V)
  • 自动校准功能:刚上电的8s内约每1s刷新参考值,在此8s内有触摸按键或8s后仍无触摸按键,则重新校准周期切换为4s
  • 提供最长触摸按键输出时间约16s(±25% @VDD=3.0V)
  • 提供外部脚位输出模式选择:直接输出或锁存输出,高电平输出有效或低电平输出有效
  • 内建稳压电路提供稳定的电压给触摸检测电路使用
  • 内建去抖动电路可有效防止外部噪声干扰而导致的误动作
  • 可由外部电容调整灵敏度
  • 可用于玻璃、陶瓷、塑料、亚克力等介质表面

三、功能模块

 

四、SOT23-6封装及脚位定义   

 

注:“YYWW”为年周号 , 以生产批号日期为准。

 

五、功能描述

1、输出模式选择(通过HLD、OLH脚位选择)

HLD脚位:选择直接输出或锁存输出,HLD建议接VDD或GND,不悬空。

OLH脚位:选择输出高电平有效或低电平有效。

设置HLD接GND时选择同步模式,此时输出脚的状态与触摸响应同步:只有检测到触摸时有输出响应;当触摸消失时,OUT的状态恢复为初始状态。

直接输出模式(以输出低电平为例):

设置HLD接VDD时选择保持模式,此时输出脚的状态在触摸响应控制下保持:当触摸消失后仍保持为响应状态;再次触摸并响应后恢复为初始状态,如下图所示:

保持锁存模式:

注:T1为Touch响应延迟时间,T2为Touch撤销延迟。

 

2、输入检测电路

Touch输入检测波形图:

注:在工作模式下,如果10s没有检测到触发会切换到低功耗模式。

 

3、工作模式

芯片通常在低功耗模式下运行,以节省能耗。在此模式下,侦测到按键信号后,会切换至快速模式。直到按键触摸释放,并保持约10s,然后返回低功耗模式。在低功耗模式时,检测到触发会立即切换到工作模式,当连续检测到3次以上的触发时,第3次输出Touch波形。

若有物体盖住Touch PAD,可能造成足以侦测到的变化量,芯片会一直处于检测到有触摸的状态。为避免此情况,设置了最长输出持续时间约16s(±25% @VDD=3.0V),当检测到触摸信号超过这个时间,系统会复位到上电初始状态,且输出变为无效,直到下一次检测。

 

4、电源部分设计注意事项

此款触摸芯片适用于众多的智能化产品,芯片在工作时要求电源网络纯净。 为避免芯片供电网络出现纹波干扰,对于精密产品均要求使用LDO器件供电。 在电源前端使用LDO供电可以有效隔离外部电压突变滤除电源纹波干扰。 设计时芯片从电池供电后经过LDO稳压器件后输出VDD电压,再经RC滤波器件后进入触摸IC内部, 设计原理如下图所示:   

 5、灵敏度调试

5-1 调整介质厚度

在其它条件不变的情况下,使用较薄的介质可增加灵敏度,反之则会降低灵敏度,建议介质厚度范围0.5~1.2mm。

5-2调整C1电容值

C1电容必须选用较小温度系数及较稳定材质的,如X7R、NPO,建议选用NPO材质。在可用范围内0~75pF,C1电容值越大其灵敏度越低。初始调试建议使用0402封装10pF容值,电容位需保留设计,不贴时灵敏度最高,电容值大小可根据产品结构做调整。

5-3 调整Touch PAD尺寸的大小

在其它条件不变的情况下,使用较大的触摸PAD尺寸可增加灵敏度,反之则会降低灵敏度。建议最小PAD尺寸3*5mm以上,超过8*8mm以上可能会有概率性误动作。如若PAD为FPC材料,那么PAD镜像层和底层不能铺铜,且走线外围不要走线避免产生寄生电容。

5-4 Touch PAD到芯片引脚的导线长度及PCB的布局

在PCB上,输入端走线越短越好,若是多层板的设计,建议芯片输入走线外围净空处理。走线长度建议小于35mm。 Touch PAD外围1mm不要有干扰信号走线,其它信号线不得与输入走线并行或交叉,走线应尽量避开高频信号及RF信号干扰。

 

六、电气特性(所有电压以GND为参考,测试条件为室温=25℃)

6.1绝对最大值

 

6.2DC/AC特性

 

 

标准应用参考电路

  1. 产品设计时请参考上图的标准应用电路。
  2. 电容C2可以使用更大容值器件,可以更有效滤除电路干扰。
  3. 增加RC电路可以有效增加抗干扰性。
  4. 整体电路可以设计为单点接地方式。避免功率器件的干扰.
  5. 芯片区域及底层建议不要走其它型号线,可以有效避开干扰。
  6. 电路板设计时请参考相关应用设计说明,有疑问请及时联系相关技术人员。

 

八、封装尺寸图 (SOT23 – 6L )

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